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4266MHz/1.05V DDR4内存或将明年面世

    泡泡网CPU频道4月5日 日前,爆料王VR-Zone报道称,Intel计划于2013年正式发布22nm Haswell-EX商用平台,而与之一同登场的还有DDR4内存规格。

4266MHz/1.05V DDR4内存或将明年推出

    据称,22nm Haswell-EX商用平台最少有16颗物理核心,如果是一款4处理器插槽的主板的话,整个平台将会有用60多颗物理核心。如此庞大的核心数量自然需要更高的带宽需求以及低功率内存架构,而这正使得DDR4派上用场,正式上位。

4266MHz/1.05V DDR4内存或将明年推出

    DDR4内存规格目前正处于研发阶段,基于32nm以及36nm制程工艺,目前有Samsung、Hynix等内存厂商操办。据iSuppli预测数据显示:2013年,DDR4的市场份额将会达到12%,而到了2015年,这个数字有望飙升至56%。

    全新的DDR4有望采用1.2V甚至更低的电压供电(目前DDR3采用的是1.5V电压),默认频率2133MHz起步,每秒可以执行21.3数据的吞吐量。另据消息称,DDR4的默认频率可以到达4266MHz,默认电压只有1.05V。

    在台式方面,Intel的22nm Haswell以及14nm Broadwel平台将会支持全新的Socket LGA 1150处理器接口(和目前的Socket LGA 1155/1156少5-6个针脚),不过这两个到2013/2014年才会登场的平台届时也只能支持DDR3内存规格。

    桌面级平台真正邂逅DDR4要等到2015年的14nm Broadwell平台。■

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