时隔半年SanDisk X3存储芯片改进至X4

    泡泡网闪存卡频道10月14日 今年年初，SanDisk和东芝公司宣布，两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB 3 bits/单元（3-bits-per-cell)(X3)存储芯片，共同开发出多层式芯片(MLC)NAND快闪存储器。该项突破预期将很快为从存储卡到固态硬盘等市场带来能够提高产品容量、降低制造成本的先进技术。

● 32纳米 X3 技术—microSD应用的非常好的选择

    32nm 32GB X3技术是迄今为止最小的NAND快闪存储芯片，能够适用于指甲大小的microSD存储卡格式，这种格式广泛应用于移动电话和其他消费电子产品装置中。32nm 32GB X3是世界上密度最高的microSD存储芯片，能够提供两倍于43nm microSD 芯片的容量，同时模片区仍保持不变。32纳米处理技术以及电路设计中的进步为113mm2规格存储芯片做出了巨大贡献；同时，SanDisk的专利All-Bit-Line（ABL）架构在提高X3读写性能方面起到了重要推动作用。

● 基于SanDisk核心技术

    32纳米是迄今为止最为先进的闪存技术，它需要先进的解决方案来管理性能规格的变化。32纳米技术将数种创新技术结合起来，与摩尔定律中的趋势线相比，模片区大幅度减小。

    SanDisk和东芝公司将在2009国际固态电路大会（ISSCC）上共同发布了32nm 32GB X3 NAND快闪存储器的文章，介绍了使32纳米成为可能的技术革新。预计32nm 32Gb X3在2009年下半年开始投入生产。