时隔半年SanDisk X3存储芯片改进至X4

    泡泡网闪存卡频道10月14日 今年年初，SanDisk和东芝公司宣布，两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB 3 bits/单元（3-bits-per-cell)(X3)存储芯片，共同开发出多层式芯片(MLC)NAND快闪存储器。该项突破预期将很快为从存储卡到固态硬盘等市场带来能够提高产品容量、降低制造成本的先进技术。

● 32纳米 X3 技术—microSD应用的非常好的选择

    32nm 32GB X3技术是迄今为止最小的NAND快闪存储芯片，能够适用于指甲大小的microSD存储卡格式，这种格式广泛应用于移动电话和其他消费电子产品装置中。32nm 32GB X3是世界上密度最高的microSD存储芯片，能够提供两倍于43nm microSD 芯片的容量，同时模片区仍保持不变。32纳米处理技术以及电路设计中的进步为113mm2规格存储芯片做出了巨大贡献；同时，SanDisk的专利All-Bit-Line（ABL）架构在提高X3读写性能方面起到了重要推动作用。

● 基于SanDisk核心技术

    32纳米是迄今为止最为先进的闪存技术，它需要先进的解决方案来管理性能规格的变化。32纳米技术将数种创新技术结合起来，与摩尔定律中的趋势线相比，模片区大幅度减小。

    SanDisk和东芝公司将在2009国际固态电路大会（ISSCC）上共同发布了32nm 32GB X3 NAND快闪存储器的文章，介绍了使32纳米成为可能的技术革新。预计32nm 32Gb X3在2009年下半年开始投入生产。

    时隔半年之后，SanDisk宣布即将大量生产多层单元 (Multi-Level Cell，简称MLC) 科技的高效能4 bits per cell (X4)闪存。该项科技采用43纳米技术，支持64GB单内存芯片，以最高的内存容量满足日新月异的内存应用程序。另外，SanDisk生产了全新的X4控制器，从而对X4内存复杂性及性能表现进行必要及有效的管理。该X4内存芯片及X4控制器芯片，共同结合于多芯片内存模块(Memory Multi-Chip Package，简称MCP)内，提供全面、整合及低成本的内存方案。目前他们已经开始销售基于X4闪存芯片的8GB、16GB SDHC和8GB、16GB Memory Stick PRO Duo存储卡。

● X4闪存突破性发展

　　SanDisk一直与东芝公司合作发展及生产闪存，本次还共同在43纳米技术上研发出了64GB X4闪存技术。全新的43nm 64GB X4芯片是容量最高及密度最大的闪存模块，并于今年投入生产；对比现代的多层式芯片技术，43nm 64GB X4芯片写入速度提升至每秒7.8MB。SanDisk专利All Bit Line (简称ABL) 架构及最近面世的三步程序(three-step programming，简称TSP)及顺序意式概念(sequential sense concept ，简称SSC)是X4卓越表现的主要元素。

● X4控制器科技是关键

　　SanDisk研发了多项系统管理的创新应用程序，以解决4 bits per cell的复杂技术所带来的问题。由SanDisk研发及拥有的X4控制器，利用专为储存系统而设的纠错码 (error correcting code，简称ECC)，并支持4 bits per cell所需的16层分配模式。<