时隔半年SanDisk X3存储芯片改进至X4

    时隔半年之后，SanDisk宣布即将大量生产多层单元 (Multi-Level Cell，简称MLC) 科技的高效能4 bits per cell (X4)闪存。该项科技采用43纳米技术，支持64GB单内存芯片，以最高的内存容量满足日新月异的内存应用程序。另外，SanDisk生产了全新的X4控制器，从而对X4内存复杂性及性能表现进行必要及有效的管理。该X4内存芯片及X4控制器芯片，共同结合于多芯片内存模块(Memory Multi-Chip Package，简称MCP)内，提供全面、整合及低成本的内存方案。目前他们已经开始销售基于X4闪存芯片的8GB、16GB SDHC和8GB、16GB Memory Stick PRO Duo存储卡。

● X4闪存突破性发展

　　SanDisk一直与东芝公司合作发展及生产闪存，本次还共同在43纳米技术上研发出了64GB X4闪存技术。全新的43nm 64GB X4芯片是容量最高及密度最大的闪存模块，并于今年投入生产；对比现代的多层式芯片技术，43nm 64GB X4芯片写入速度提升至每秒7.8MB。SanDisk专利All Bit Line (简称ABL) 架构及最近面世的三步程序(three-step programming，简称TSP)及顺序意式概念(sequential sense concept ，简称SSC)是X4卓越表现的主要元素。

● X4控制器科技是关键

　　SanDisk研发了多项系统管理的创新应用程序，以解决4 bits per cell的复杂技术所带来的问题。由SanDisk研发及拥有的X4控制器，利用专为储存系统而设的纠错码 (error correcting code，简称ECC)，并支持4 bits per cell所需的16层分配模式。<