铠侠与闪迪联合发布第十代332层QLC 3D闪存 位密度提升60%创行业新高

　　美国当地时间2026年8月4日，在加利福尼亚州圣克拉拉举办的全球闪存峰会（Future of Memory and Storage, FMS）上，铠侠控股（东京证券交易所代码：285A）旗下铠侠公司与闪迪公司（纳斯达克股票代码：SNDK）联合发布第十代BiCS FLASH QLC 3D闪存技术。该技术在存储密度、传输性能与能效水平上实现三重突破：相较第八代产品位密度提升高达60%，突破37 Gb/mm²，同时成为业界首个NAND接口速率达到4.8 Gb/s的QLC 3D闪存技术，为AI存储架构、云平台及各类数据密集型创新应用筑牢了高性能存储根基。

　　此次发布的新一代QLC闪存采用332层堆叠架构与优化布局设计，核心依托双方联合研发的CBA（CMOS直接键合到存储阵列）技术实现性能跃升。该技术将CMOS逻辑电路与存储阵列分别制备于独立晶圆，再通过高精度晶圆对位工艺完成键合，既强化了密度扩展能力，也同步提升了制造效率与读写性能。接口层面，新品搭载Toggle DDR6.0标准与SCA（Separate Command Address）协议，将NAND接口速率推至4.8 Gb/s，充分释放高速接口的传输潜力。能效方面，PI LTT（电源隔离低抽头终端）技术的引入显著优化了I/O数据输出传输能效，可有效缓解AI与云基础设施面临的功耗与散热压力。

　　值得注意的是，该技术隶属于铠侠第十代BiCS FLASH技术路线，采用相同332层架构的TLC闪存已于上月开始出样，其位密度为29 Gb/mm²，QLC版本在存储密度上展现出显著优势。目前铠侠正推进双产品线并行策略：第九代BiCS FLASH方案以较低投资成本实现高性能表现，第十代方案则依托先进堆叠技术兼顾超大容量与卓越性能，两条路线差异化覆盖不同细分市场需求。

　　铠侠CTO宮島秀史表示，随着AI应用从生成式AI向智能体AI、物理AI延伸，数据形态日趋多元复杂，QLC技术的高密度特性能高效承载爆发式增长的数据量，助力AI系统实现更高性能与可扩展性，铠侠将加速推动第十代QLC闪存的商业化落地。闪迪CTO Alper Ilkbahar则指出，AI训练、推理与超大规模数据中心负载正推动数据量空前增长，存储行业对大容量、高性能、低功耗的需求持续升级，第十代BiCS FLASH QLC技术重新定义了QLC NAND的性能与能效边界，为下一代基础设施的容量扩展构建了新的技术范式。

　　业内普遍认为，此次第十代QLC 3D闪存技术的发布，进一步拉高了QLC闪存的位密度与性能天花板。在全球数据量高速增长、AI算力需求持续攀升的产业背景下，该技术将为大容量存储市场注入新的技术动力，支撑云服务、大数据与AI产业的长期演进。