Intel发明3D晶体管技术 22nm工艺采用

    全新的3D Tri-Gate能够提供同等性能的同时，功耗降低一半。新的接口极大的减少了漏电率。阈值电压可以得到极大的降低。

    晶体管工作在更低的电压下，功耗也会得到显著下降，而我们关心的处理器的工作频率也会得到相应的提高。

电压降低0.2V

    相比现在的32nm制程，处理器电压可降低0.2V。

    即使在同等电压下，新的22nm 3D Tri-Gate晶体管架构性能也可提升37%。