挑战软件极限!6核12线程"i9"全国首测

● 摩尔定律的延续！Intel最新32nm制程讲解

    采用高k+金属架构栅极的45nm制程技术取得巨大成功之后，英特尔再接再厉推出了采用第二代高k+金属栅极的32纳米制程技术，目前已接近量产。这种新制程技术将用来制造英特尔Nehalem微体系架构的32nm版本-Westmere。

    据Intel英特尔高级院士Mark Bohr透露，32nm制程技术的基础是第二代高k+金属栅极晶体管。英特尔对第一代高k+金属栅极晶体管进行了众多改进。 在45纳米制程中，高k电介质的等效氧化层厚度为1.0nm。而在32nm制程中，此氧化层的厚度仅为0.9nm，而栅极长度则缩短为30nm。

    晶体管的栅极间距每两年缩小0.7倍——32nm制程采用了业内最紧凑的栅极间距。32nm制程采用了与英特尔45纳米制程一样的置换金属栅极工艺流程，这样有利于英特尔充分利用现有的成功工艺。这些改进对于缩小集成电路（IC）尺寸、提高晶体管的性能至关重要。采用高k+金属栅极晶体管的32nm制程技术可以帮助设计人员同时优化电路的尺寸和性能。

    Intel已经成功完成了32nm制程的研发工作，并且是业界第一家可以演示运行的32nm处理器的厂商，它采用第二代High-K和金属栅极晶体管技术，九个金属铜和Low-K互联层，其中的关键层会在Intel历史上首次应用沉浸式光刻技术，无铅无卤素，核心面积可比45nm减小大约70％，在性能方面提高超过22%以上。