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剪不断理还乱!DDR1-3和GDDR1-5全解析

    相信很多人都知道,DDR1/2/3内存最关键的技术就是分别采用了2/4/8bit数据预取技术(Prefetch),由此得以将带宽翻倍,与此同时I/O控制器也必须做相应的改进。

DDR1/2/3数据预取技术原理:

    预取,顾名思义就是预先/提前存取数据,也就是说在I/O控制器发出请求之前,存储单元已经事先准备好了2/4/8bit数据。简单来说这就是把并行传输的数据转换为串行数据流,我们可以把它认为是存储单元内部的Raid/多通道技术,可以说是以电容矩阵为单位的。

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内存数据预取技术示意图:并行转串行

    这种存储阵列内部的实际位宽较大,但是数据输出位宽却比较小的设计,就是所谓的数据预取技术,它可以让内存的数据传输频率倍增。试想如果我们把一条细水管安装在粗水管之上,那么水流的喷射速度就会翻几倍。

    明白了数据预取技术的原理之后,再来看看DDR1/2/3内存的定义,以及三种频率之间的关系,就豁然开朗了:

SDRAM(Synchronous DRAM):同步动态随机存储器

    之所以被称为“同步”,因为SDR内存的存储单元频率、I/O频率及数据传输率都是相同的,比如经典的PC133,三种频率都是133MHz。

    SDR在一个时钟周期内只能读/写一次,只在时钟上升期读/写数据,当同时需要读取和写入时,就得等待其中一个动作完成之后才能继续进行下一个动作。

DDR(Double Date Rate SDRAM):双倍速率同步动态随机存储器

    双倍是指在一个时钟周期内传输两次数据,在时钟的上升期和下降期各传输一次数据(通过差分时钟技术实现),在存储阵列频率不变的情况下,数据传输率达到了SDR的两倍,此时就需要I/O从存储阵列中预取2bit数据,因此I/O的工作频率是存储阵列频率的两倍。

    DQ频率和I/O频率是相同的,因为DQ在时钟上升和下降研能传输两次数据,也是两倍于存储阵列的频率。

DDR2(DDR 2 SDRAM):第二代双倍速率同步动态随机存储器

    DDR2在DDR1的基础上,数据预取位数从2bit扩充至4bit,此时上下行同时传输数据(双倍)已经满足不了4bit预取的要求,因此I/O控制器频率必须加倍。

    至此,在存储单元频率保持133-200MHz不变的情况下,DDR2的实际频率达到了266-400MHz,而(等效)数据传输率达到了533-800MHz。

DDR3(DDR 3 SDRAM):第三代双倍速率同步动态随机存储器

    DDR3就更容易理解了,数据预取位数再次翻倍到8bit,同理I/O控制器频率也加倍。此时,在存储单元频率保持133-200MHz不变的情况下,DDR3的实际频率达到了533-800MHz,而(等效)数据传输率高达1066-1600MHz。

    综上可以看出,DDR1/2/3的发展是围绕着数据预取而进行的,同时也给I/O控制器造成了不小的压力,虽然存储单元的工作频率保持不变,但I/O频率以级数增长,我们可以看到DDR3的I/O频率已逼近1GHz大关,此时I/O频率成为了新的瓶颈,如果继续推出DDR4(注意不是GDDR4,两者完全不是同一概念,后文会有详细解释)的话,将会受到很多未知因素的制约,必须等待更先进的工艺或者新解决方案的出现才有可能延续DDR的生命。

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