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更好的控噪表现与宽容度 索尼发布双层晶体管CMOS

    索尼近日成功开发出全球首创的双层晶体管像素堆栈式CMOS影像传感器技术。传统CMOS影像传感器的光电二极体和像素晶体管分部在同一基片上,而索尼的新技术将光电二极体和像素晶体管分离在不同的基片层。与传统传感器相比,这一全新的结构使饱和信号量约提升至原来的2倍,扩大了动态范围并降低噪点,从而显著提高成像性能。采用新技术的像素结构,无论是在当前还是更小的像素尺寸下,都能保持或是提升像素现有的特性。 

传统的堆栈式影像传感器(左)

采用新开发的双层晶体管图元技术的堆栈式传感器(右)

    此外,因为传输门 (TRG) 以外的像素电晶体,包括重定电晶体 (RST)、选择电晶体 (SEL) 和放大电晶体 (AMP),都处于无光电二极体分佈这一层,所以放大电晶体(AMP)的尺寸可以增加。通过增加放大电晶体尺寸,索尼成功地大幅降低了夜间和其他昏暗场景下影像容易产生的噪点问题。 

採用双层晶体管体像素技术的CMOS横截面

    这项新技术使动态范围扩大并降低了噪点,将避免在有明暗差(例如背光设置)的场景下曝光不足和过度曝光的问题,即使在光线不充足(例如室内、夜间)的场景下也能拍摄高品质低噪点的影像。

via:dcfever

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