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三星宣布,将在2022年上半年开启大规模3nm工艺制造

  10月12日消息,在近期三星电子方面宣布,将在2022年上半年进行大规模的3nm工艺产品生产,其进度将领先竞争对手台积电。

  在10月7日,三星电子(SamsungElectronics)宣布,将于明年上半年开始使用GAA技术生产客户的3纳米(Nm)芯片设计。三星电子公司还表示,2023年将大规模生产第二代3 nm芯片,2025年将大规模生产2 nm芯片。

  三星电子将利用GAA技术生产3nm芯片,以提高作为半导体电流控制开关的晶体管的性能和效率。与基于FinFET技术的5nm工艺相比,三星的第一个3 nm GAA工艺节点的性能提高了30%,功耗降低了50%,芯片面积减少了35%。该公司计划将第三代GAA技术应用于将于2025年推出的2纳米工艺。

  台积电计划继续将FinFET技术应用于3 nm工艺,并从2 nm工艺开始引入GAA技术。

  根据目前数据,三星将成为世界上第一个大规模生产3nm半导体的制造厂,现阶段台积电在2021年第二季度占全球半导体代工制造市场的58%。三星的份额是14%。

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