代替DRAM 惠普/海力士开发电阻式内存
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泡泡网内存频道9月6日 近期惠普与海力士达成一项协议,根据协议两公司将共同研究下一代的内存产品。
惠普在实验室里证明了忆阻器(memristor)的存在,现在两家公司计划利用忆阻器来开发电阻式内存(ReRAM),忆阻器相比现有的固态存储技术能耗更低,速度更快,而且能在断电时存储数据,如果研制成功的话将会可能代替现有的DRAM和Flash芯片。■
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