代替DRAM 惠普/海力士开发电阻式内存

    泡泡网内存频道9月6日 近期惠普与海力士达成一项协议，根据协议两公司将共同研究下一代的内存产品。

    惠普在实验室里证明了忆阻器（memristor）的存在，现在两家公司计划利用忆阻器来开发电阻式内存（ReRAM），忆阻器相比现有的固态存储技术能耗更低，速度更快，而且能在断电时存储数据，如果研制成功的话将会可能代替现有的DRAM和Flash芯片。■