降低成本 三星启用40nm芯片制程技术

    [泡泡网内存频道7月31日] 三星电子最新发布的2G bit容量DDR3内存芯片已经开始启用40纳米芯片制程技术，这将进一步有效降低成本，增强企业竞争能力，以及芯片本身的表现水准。

    三星的40纳米DDR3系列2G bit内存颗粒最高支持1600MHz工作频率，电压1.35v，相比50纳米制程技术，产能将会提升60%，同时这也意味着成本显著降低。

    借助新技术，三星可以提供容量2GB,4GB的DDR3台机，笔记本，工作站用内存模组产品，三星自己则计划推出4GB,8GB,16GB的服务器专用内存。■