三星美光预计明年量产1x nm 内存芯片

    随着美光前不久把台湾南亚科技纳入囊中，DRAM内存产业基本上只有三星、SK Hynix及美光三家在玩了。目前三大厂商的主力制程工艺才刚进入20nm，但是20nm工艺看样子也只是过渡了，因为三星、SK Hynix明年就要量产1x nm工艺的DRAM颗粒，三星最早是明年Q1季度，美光虽然进度最慢，但也表态争取在明年量产1x nm工艺。

    来自韩国ETNEWS的报道称，三星、SK Hynix及美光这三家厂商都在致力于明年量产1x nm工艺的DRAM芯片，其中三星的进度最快，他们去年3月份才量产了20nm工艺，但现在正在修改工艺，已经完成了1x nm工艺的的量产验证工作，明年Q1季度就要量产新工艺DRAM内存。

    SK Hynix的进度比三星略慢，2016年他们计划提升20nm工艺DRAM芯片的产能，但2016年上半年也会完成1x nm工艺的DRAM开发工作，2016年下半年争取量产。

    在这三家中美光这两年的表现就比较差了，工艺进度也比韩国两家公司落后1-2代，不过美光CEO Mark Durcan也表态称2016年他们的目标除了提升20nm产能之外，也争取开始量产1x nm工艺的RAM芯片。

    原文说的这个1x nm等同于18nm工艺，但实际上并没有这么简单，并不是从数字20到18这么简单，如果制程只是改变了2个nm，厂商肯定不会这么大动干戈。在存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后，厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了，20nm之后是1x nm工艺，再往后则是1y nm工艺，还有1z nm工艺的说法，至于XYZ具体的含义，由于每家公司的工艺并不一样，所以缺少详细的解释。■