增速30% 三星扩展64层256GB V-NAND至全线NAND产品

    三星电子今天宣布，已开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片，传输速度达到全球最快的1Gb，除了SSD领域，该闪存芯片还将应用于服务器，PC和移动设备。

    与之前的48位256Gb V-NAND相比，新的64层256Gb V-NAND相比之前的48层256Gb V-NAND，有超过30％的生产率增益。此外，64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压，与使用48层V-NAND的3.3V相比，能量效率提高了约30％。此外，新的V-NAND电池的可靠性与其前身相比增加了约20％。

    三星表示，在未来三星还将通过堆叠超过90层的单元阵列，以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。■

    本文编辑：宋阳

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