增速30% 三星扩展64层256GB V-NAND至全线NAND产品

2017年06月15日 18:02   出处:泡泡网原创   作者:宋阳   分享

  三星电子今天宣布,已开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片,传输速度达到全球最快的1Gb,除了SSD领域,该闪存芯片还将应用于服务器,PC和移动设备。

  与之前的48位256Gb V-NAND相比,新的64层256Gb V-NAND相比之前的48层256Gb V-NAND,有超过30%的生产率增益。此外,64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压,与使用48层V-NAND的3.3V相比,能量效率提高了约30%。此外,新的V-NAND电池的可靠性与其前身相比增加了约20%。

  三星表示,在未来三星还将通过堆叠超过90层的单元阵列,以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。■

  本文编辑:宋阳

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