比RAM快千倍 中芯国际投产40nm ReRAM

2017年02月13日 01:16   出处:泡泡网原创   作者:宋阳   分享

     有消息称,中芯国际与Crossbar合作研发的ReRAM(非易失性阻变式存储器)已经在中芯国际正式投入生产!

  Crossbar公司成立于2010年,拿到了包括中国北极光创投在内提供的8000万美元风投,2016年3月宣布与中芯国际达成合作,发力中国市场,中芯国际将采用自家的40nm CMOS工艺试产ReRAM芯片。

  ReRAM代表电阻式RAM,是将DRAM的读写速度与NAND的非易失性集于一身的新一代存储技术,关闭电源后仍能保存数据。如果ReRAM有足够大的空间,一台配备ReRAM的计算机将几乎不再需要载入时间。

  ReRAM的名字中虽然带有RAM,但机制和用途其实更像NAND闪存,主要用作数据存储。

  ReRAM的性能十分彪悍,号称存储密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,200平方毫米左右的单芯片即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。

  与传统的NAND闪存相比,ReRAM速度快的多,位元可修改,并且所需电压更低,这都使得它可以被应用于嵌入式和SSD设备之中。

  而且不同于NAND闪存对于更新工艺的不适应,ReRAM的扩展性更好,远景可以做到5nm。

  另外,更先进的28nm ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。


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