首款10nm手机芯片 骁龙835正式发布

    北京时间1月4日凌晨，CES 2017消费电子展开幕前夕，美国高通公司正式发布了旗下骁龙系列最新旗舰骁龙835手机芯片，骁龙835采用三星10nmFinFet工艺，8核Kryo 280架构，4大核最高主频2.45GHz，4小核最高频1.9GHz，骁龙835配备Adreno 540GPU，还集成下行速率高达1Gbps的X16通信基带，规格参数十分强悍；预计骁龙835会是2017年安卓旗舰手机的标配之一。

制程工艺

    高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通骁龙835芯片面积将变得更小。

    2016年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航。

核心/基带

    骁龙835的主频为1.9GHz+2.45GHz，并采用八核设计。骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为

Kryo280架构，大核心频率2.45GHz，大核心簇带有2MB的L2 Cache，小核心频率1.9GHz，小核心簇带有1MB的L2 Cache，GPU为Adreno 540@670MHz，相比上代性能提升25%，Adreno 540 GPU支持OpenGL ES 3.2,、完整OpenCL 2.0、Vulkan、DX12，支持4K屏。此外骁龙835还配备2x2 11ac MU-MIMO；802.11ad Wi-Fi（60GHz）；支持蓝牙5；Hexagon 682 DSP；双通道LP DDR4x-1866MHz；导航支持GPS, GLONASS, 北斗, Galileo,QZSS；单镜3200万像素、双镜1600万像素，Spectra 180 ISP；支持录制4K 30FPS视频和播放4K 60帧视频（HDR 10）；Quick Charge 4；WCD9341音频解码，32-bit/384kHz；

快速充电

    新的骁龙835处理器，支持Quick Charge 4快速充电，比起Quick Charge 3.0，其充电速度提升20%，充电效率提升30%。另外其具备更小的芯片尺寸，能为手机厂商提供更灵活的内部空间设计。

    Quick Charge 4.0快充技术充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支持，适配范围更广泛。

效率提升

    高通骁龙835采用三星10nm制程工艺，10nm工艺将会带来更好的性能，提升功率效率，作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。 三星曾表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%。而高通此次将精力主要放在10nm加持下骁龙835的功耗表现上，性能比820提升了27%之多，但是功耗降低了25%（比801降低了50%），也就是平均每天多用2.5小时。

更高的内存带宽

    骁龙835会率先支持传输速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x运存，带宽提升明显。

    那么问题来了，这么强悍的骁龙835哪家手机厂商会首批大规模采用呢？■