美光宣布3D闪存产量超越2D 第二代量产

    美光近日宣布，旗下3D立体堆叠的NAND闪存在产量输出上已经首次超越传统的2D平面型闪存，标志着一个新时代的到来。

    值得一提的是，美光这里说的产量并非晶圆数量，而是闪存容量。美光2D MLC/TLC闪存使用16nm工艺，单颗最大容量128Gb(16GB)，3D MLC/TLC则分别可达256/384Gb(32/48GB)，很容易超越前者。

    3D闪存并非简单的堆叠，而是使用了完全不同的工艺技术，所以对于厂商的产能调控能力考验很大。

    三星、海力士、东芝等也都一直在大力投入3D闪存，尤其是作为领头羊的三星非常激进。如今市面上的主流SSD基本都已经转换到3D闪存，大势所趋不可逆转。

    美光同时宣布，其第二代3D闪存也即将量产，新加坡工厂将在2016年夏天产出首批晶圆，成本比第一代降低超过30％，比2D平面型降低几乎一半。■