东芝发布UFS 2.1闪存:读取速度850MB/s

2016年10月27日 19:10   转载:超能网   作者:张孟伟   分享

  2016年智能手机内存、闪存容量双双翻倍,内存容量站上了6GB,闪存更夸张,iPhone 7起步就是32GB了,128GB才是主流配置,高配直接256GB,比很多人的SSD容量还高。在这背后,闪存厂商的新一代大容量eMMC/UFS闪存起到了关键作用,东芝日前正式推出了新一代eMMC 5.1、UFS 2.1闪存,容量32GB到128GB,其中UFS 2.1使用的是15nm MLC闪存,读取速度高达850MB/s,写入也有180MB/s。eMMC 5.1闪存虽然不是什么新玩意了,速度也比不上UFS,但是大量中低端手机还在用eMMC闪存,其实手机厂商不太乐意公布出来而已。东芝的eMMC 5.1闪存也是15nm工艺,不过官方没确认是MLC还是TLC的,估计后者的可能性更大,毕竟成本更低。

东芝发布UFS 2.1闪存:读取速度850MB/s

  东芝eMMC 5.1闪存容量32-128GB,连续读取速度320MB/s,连续写入速度140MB/s,分别比前代产品提升2%(东芝也真诚实)、20%,不过随机性能提升较大,读取、写入分别提升100%、140%。

  UFS闪存上三星比其他公司抢先,不过其他厂商现在也追赶上来了,东芝推出的新品直接基于最新的UFS 2.1规范,使用了15nm MLC闪存,容量也是32GB到128GB,不过性能就更强大了,连续读取速度850MB/s,连续写入180MB/s,比前代提升40%、16%,随机读取、写入更是提升120%、80%。

  值得一提的是,东芝这两款新品不仅使用自家的闪存,主控也是自己开发的,而且东芝还在自己开发自己的M-PHY 3.0物理层及UniPro 1.6,看来目标是争取掌握所有核心科技啊!

  话说回来,安卓阵营的厂商地位还是不如苹果,iPhone 256GB版使用的是东芝48层堆栈的3D NAND闪存,东芝现在对外提供的容量最多128GB,也没用3D NAND技术。■

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