中国砸240亿美元跃进3D NAND闪存时代

2016年03月23日 22:40   转载:超能网   作者:张孟伟   分享

  中国把半导体产业作为命脉来抓,国内最大也是最先进的存储芯片厂即将在武汉开工,总计耗资240亿美元,预计在2017年到2018年开始生产,而且中国国产存储芯片会跳过2D NAND闪存直接进入3D NAND闪存时代,起点可不低。不过在3D NAND市场上,四大豪门已经积累太多优势了,其中三星一家的3D NAND产能就占到了40%,国产NAND闪存要想打开市场,面临的难度可想而知。

中国砸240亿美元跃进3D NAND闪存时代

  集邦科技公布的全球主要的闪存芯片供应商报告中,三星2015年的NAND产能约为484.5万片晶圆,主流工艺是16nm。在3D NAND闪存上,三星是全球量产最早的供应商,2013年就量产V-NAND闪存了,当时还是32层堆栈的(第一代24层堆栈的没有规模量产),之后三星又推出了48层堆栈的第三代V-NAND闪存,并与去年底开始量产。

中国砸240亿美元跃进3D NAND闪存时代

  三星在中国西安投资70亿美元建设新一代晶圆厂,主产的就是3D NAND闪存,在如此庞大的投资下,三星西安工厂去年1-8个产值就达到了115亿元。根据集邦科技的分析,三星在2016年有可能占到全球3D NAND闪存市场的40.8%份额,绝对是一家独大。

  SK Hynix去年的产能约为249万片晶圆,主流工艺也是16nm,他们的3D NAND闪存芯片要在今年Q1季度才能量产,主要36层堆栈的MLC及48层堆栈的TLC闪存,3D NAND闪存市场份额预计为3.3%。

  东芝/闪迪去年的产能约为588万片晶圆,主流工艺是15nm,不过3D NAND闪存也是要到今年Q1季度量产,主要是48层堆栈的MLC/TLC闪存,今年预计份额为5.4%。

  美光/Intel合资的IMFT公司去年产能219.5万片晶圆,主流工艺为16nm,去年Q4季度开始量产32层堆栈的MLC/TLC闪存,预计今年的份额为17.6%。

  此外,Intel虽然与美光合资生产闪存,但去年已经决定把中国大连的Fab 65工厂从芯片组生产转向闪存制造,总计投资55亿美元,分析认为投产的产品很可能是Intel非常倚重的3D XPoint闪存。

  随着三星、Intel等国际公司扩大中国晶圆厂的3D NAND闪存产能,中国大陆所占的3D NAND产能有可能从目前的8%提高到2017年的超过10%。

  另一方面,中国本土自建的国产NAND工厂本月底正式动工,预计2017年到2018年正式建成投产,由武汉新芯科技公司负责运营,而且所生产的芯片直接进入3D NAND闪存时代,技术来源是飞索半导体,但不确定他们的3D NAND闪存具体是什么工艺,技术水平与三星、Intel相比如何。

  国产存储芯片晶圆厂的产能目标是每月20万片晶圆,算起来一年就是240万片了,差不多达到了SK Hynix现在的水平,不过月产20万片晶圆的目标不是一蹴而就的,一座晶圆厂通常的月产能不过是数万片,所以20万片的月产能需要多年的产能建设才有可能。

  剩下的问题就是国产闪存应该如何与三星、Intel、东芝们竞争呢?初期的价格战是不可避免的,但长久来看还得是技术立足。

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