自主研发+自主建厂国产存储芯片厂开工

2016年03月21日 10:23   出处:泡泡网原创   作者:张孟伟   分享

  全球最主要的存储芯片产能都掌握在美国、日本与韩国公司手中,DRAM内存是三星、美光及SK Hynix,NAND闪存领域则是三星、SK Hynix、东芝/闪迪、美光/Intel等四大豪门,国内所用的内存及闪存基本上都是进口的。在这种情况下,国内的半导体扶植基金把存储芯片作为突破口,将耗资240亿美元在武汉建设国内最大、最先进的存储芯片基地,现在这个项目就要开始实施了——武汉新芯公司28日就会正式开工建设自主研发的晶圆厂。

  国产存储芯片这个项目曾经吸引了国内多个城市竞争,去年确定落户武汉市,由武汉新芯公司负责建设、运营。值得一提的是,在竞争中落败的合肥市并没有放弃,他们联合了前尔必达董事长坂本幸雄设立的兆基科技公司投资8000亿日元在合肥建造另外的存储芯片厂,国内一下子要造出两个存储芯片基地了。

  合肥的项目还没有最终成行,相比之下武汉的国产存储芯片建设已经踏上正轨了,本月28日就会举行首座12英寸晶圆厂动工仪式。他们的最终目标是筹资240亿美元,至少会有2座12英寸晶圆厂,月产能高达30万片晶圆,日后将成为中国最大、最先进的存储器研发与生产制造基地。

  武汉新芯公司成立于2006年,是湖北武汉市的重大战略投资项目,2008年12寸晶圆厂投产,原本是中芯国际旗下的晶圆厂,2013年中芯国际推出运营,武汉新芯成为独立公司,由武汉市政府负责。目前武汉新芯战地面积531亩,现有一座12寸晶圆厂,主产NOR闪存。

  相比NAND闪存及3D闪存,NOR闪存目前来说已经不是主流了,这意味着新芯公司与国际公司存在的技术代沟。此前该公司也曾寻求与三星、SK Hynix及美光等公司技术合作,但最终都没有结果,因此武汉新芯公司将采用自主研发、自主建厂的方式运营。

  根据之前的消息,新芯公司之前跟Spansion飞索半导体合作开发3D NAND闪存,这应该是他们的闪存技术来源了,但是不确定这种3D闪存的技术水平到底如何。

  武汉新芯公司官网上今年的新闻只有一条,不过最新的几条新闻都是围绕3D NAND闪存的,看起来他们也确实把3D闪存作为攻坚重点。

  目前存储芯片市场上,随着新工艺及投入的增大,三星、SK Hynix等公司的产能都在迅速提升,下半年内存价格都有可能暴跌40%,NAND闪存市场同样也会降价的压力,这对国产存储芯片公司来说是个考验。综观国内液晶及LED产业的崛起,国内公司都是靠着政府支持及补贴大打价格战来占领市场的,存储芯片领域同样难逃这个命运。我们在支持国内公司做大做强的同时,也希望这些公司能以技术优势立足而不是一味拼低价,国内的钢铁产业现在就是个“榜样”。■

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