中芯国际进军内存产业 代工PRAM内存

2016年03月15日 10:44   转载:超能网   作者:张孟伟   分享

  中芯国际(SMIC)已经是国内最大、最先进的晶圆代工厂,除了处理器之外他们也在积极谋划存储类芯片业务。2014年9月份他们推出了自己开发的38nm NAND闪存芯片,日前中芯国际又跟Crossbar公司达成了战略合作协议,将使用40nm工艺为后者代工RRAM阻变式存储器芯片,意味着中芯国际已经进入了下一代内存产业。

中芯国际进军内存产业 代工RRAM内存

  RRAM阻变式存储器也被称为相变内存,RRAM使用一种或者多种含硫化物玻璃制成,其特点就是受热之后可以改变形状,成为晶体或者非晶体,而不同状态具有不同电阻值,因此可以用来储存数据。

  与普通的DRAM相比,RRAM内存不仅写入速度快30倍,寿命延长10倍,而且RRAM内存在断电时不会丢失数据,所以它不仅可以替代内存,也可以替代闪存。目前Intel、三星等公司都在积极投身RRAM内存研发。

  中芯国际合作的伙伴Crossbar是全球RRAM内存产业中的领导者之一,中芯国际将使用40nm CMOS工艺为其代工RRAM产品,将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件,以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。■

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