3DV-NAND再显威 120GB三星850 EVO测试

    泡泡网SSD固态硬盘频道12月22日 三星固态硬盘近年来发展非常迅猛，近日三星再次发布了最新成员850 EVO SSD，该产品采用三星3bit 3D垂直闪存(V-NAND)技术，性能与耐用性与先前产品相比有大幅度提升。是继今年7月份，三星电子推出采用2 bit 3D V-NAND，专门针对高端个人PC及中小型企业服务器而设计的三星 850PRO SSD之后的又一力作。随着850EVO的发布，三星电子整合推出了基于V-NAND的新一代消费级SSD产品线。

    自2012年首次推出基于3bit平面闪存的固态硬盘之后，三星已经证明了市场对高密度3bit闪存固态硬盘的广泛需求。2013年8月推出了第一代24层V-NAND闪存，并在今年5月宣布了第二代32层V-NAND存储单元阵列结构。之后宣布量产3bit 32层V-NAND闪存，则标志着三星正在通过加速V-NAND量产技术的发展引领着3D存储芯片的新纪元。

　　该款产品单个存储单元容量为3bit，每片芯片存储单元阵列垂直堆叠32层，因而大大提高了生产效率。与三星的10纳米级3bit平面闪存相比，新推出的3bit V-NAND立体闪存的晶圆生产效率提高了一倍以上。

    3bit V-NAND闪存是基于三星第二代V-NAND芯片技术的最新产品，每片闪存芯片由32层垂直堆叠的存储单元组成，单片闪存的存储容量可达128Gb。利用三星独有的3D电荷捕获型栅极存储单元结构技术,各个存储单元把电荷存储在绝缘体中，并通过存储单元阵列一层接一层地向上垂直堆叠，制造出含有数十亿个存储单元的芯片。

    明年，三星预计扩大SSD产品阵容，推出搭载3bit V-NAND 技术的M.2和mSATA外形尺寸的850 EVO 系列SSD。三星还预计，850 EVO在满足市场日益增长的500GB以上容量SSD需求的同时，将进一步推动高容量SSD的市场扩张。

    现在三星850 EVO已经被笔者拿到，打开外壳大吃一惊，PCB居然这么小！这自然得益于如今闪存的高集成度。

三星MGX主控

单颗容量128GB的闪存芯片

256MB LPDDR3缓存

    下面让我们实际测试一下该款产品性能吧。