东芝/闪迪15nm闪存探析 存储密度很牛

2014年08月27日 01:22   转载:驱动之家   作者:驱动之家   分享

  泡泡网存储卡频道8月27日 东芝日前展示了他们和闪迪联合开发的15nm NAND闪存,但是对于核心面积、存储密度等关键参数只字未提,AnandTech于是进行了一番探索,结果相当震惊。

东芝/闪迪15nm闪存探析 存储密度很牛

   结合晶圆尺寸经过估算,东芝/闪迪15nm 128Gb(16GB)闪存颗粒的面积为139平方毫米,相比于美光16nm小了足足20%,对比美光20nm更是小了超过31%。

东芝/闪迪15nm闪存探析 存储密度很牛

   存储密度也就很容易得出了:0.92Gb每平方毫米。这已经十分逼近三星堆叠了24层的同容量颗粒,甚至超过了第一代的32曾堆叠(86Gb),也创下了平面闪存的最新记录,比此前美光16nm提高了足足24%。

东芝/闪迪15nm闪存探析 存储密度很牛

   东芝和闪迪要到2016年初才会进入3D闪存时代,原因就不言自明了:15nm工艺都可以如此有效地缩小面积、提高密度,干吗要急着3D?

   目前官方还没有公布详细的架构图,所以不知道东芝/闪迪究竟用了什么方法才有如此高校的成果。

   东芝/闪存15nm闪存正在开始加紧量产,相关固态硬盘产品会在第四季度推出。■

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