40年的荣耀:传奇IT龙头Intel的成长史

　　初生与重生

    也许你不曾想到，强大的英特尔也曾深陷死亡之谷。“我们已经迷失了方向！”时任CEO格鲁夫这样描述决定未来命运的变革前夜。它的危机是从日本厂商大举进攻开始的，1984年秋天，一切都变了。尽管技术上英特尔并不落后，但作为“第二供应商”的日本厂商并没有因为得到英特尔的技术授权就放弃了进攻，而是利用日本财团的支持和倾销手段将英特尔逼向了绝境。

　　第一桶金

    英特尔的技术发展往往从大名鼎鼎的4004处理器提起。但在创业初期，英特尔的主要开发方向其实是半导体存储器。采用半导体内存之前，计算机安装的是磁芯内存，这种存储文件的制造工艺费时费力，产品体积庞大，存取速度也很慢。研制新内存是当时业界的迫切要求。

　大名鼎鼎的4004处理器

    英特尔抓住了取代磁芯内存的机遇。1969年，当英特尔决定向内存技术发起冲击时，已经有6家美国公司也在为此厉兵秣马。这7家公司共同参与了同一个项目的竞标。当时，半导体技术已经发展到可以在硅片上安装更多晶体管，带来低成本和高性能，但制造内存芯片的方案还在探索之中。英特尔面前有硅栅MOS技术、多芯片内存模块和肖特基双极技术三条技术路径，英特尔选择了同时尝试这三条路线，最后再选定能量产的制造工艺。

    双极技术首见战果。当年英特尔推出第一个商品3101双极随机存取存储器（RAM），抢在了竞争对手的前面，这也为它日后发展迈出了第一步。另一个小组研究的硅栅MOS技术也在同年推出了实用化成果1101静态存储器，英特尔成功进入内存半导体市场。数年之内，英特尔又推出两个新产品：可擦写编程只读存储器（EPROM）和静态内存（SRAM）。上世纪70年代末，与英特尔竞争的企业，如尤利森公司、先进内存系统公司等高科技企业都难以望其项背，英特尔拥有内存技术与硅栅技术两大法宝，成为内存技术和市场绝对的代名词。