NAND Flash买气一滩死水 价格再破底

    近期油价高涨问题导致消费者紧缩荷包，成了NAND Flash市场需求不振最大杀手，NAND Flash价格罕见地一再破底，再度跌破前波低点，8Gb晶片低点来到2.35美元，跌破记忆体业者眼镜！上游记忆体厂近期虽欣喜DRAM价格开始稳定，但NAND Flash价格不断探底，亏损幅度扩大，让各业者相当头痛，而模组厂应对策略则是拉升DRAM模组比重，弥补NAND Flash跌价损失。

    NAND Flash价格在4月初受惠海力士(Hynix)减产、供给面获控制，曾有一波反弹好光景，然随后反转向下，再度面临崩盘窘境，且这次8Gb晶片价直接跌破前波低点，16Gb晶片也很快将面临4美元保卫战，NAND Flash价格相当疲软。

    记忆体业者表示，步入5月之后，全球NAND Flash产品市场买气，只能用一滩死水来形容，尤其近期油价持续攀高、通货膨胀问题，对全球各地消费者信心冲击相当大，除非是民生必需品，否则消费者采购态度都是能省就省，因此，对NAND Flash冲击严重，成为这波需求不振的杀手。

    记忆体大厂认为，好不容易等到DRAM景气脱离谷底，从现在到第3季价格可步入稳定期，然NAND Flash价格却一再破底，恐使得亏损幅度持续扩大；下游模组厂亦表示，原本是NAND Flash产品比DRAM模组赚钱，现在完全倒过来，近期策略就是拉升DRAM模组比重，以降低NAND Flash跌价效应影响。

    记忆体业者指出，这一波NAND Flash价格崩盘，主要都是需求面太弱所致，加上固态硬碟(SSD)2008年恐怕是没有希望了，只能在低价电脑附近打转。

    在供给端方面，目前各家NAND Flash大厂主流制程在50奈米，三星电子(SAMSUNG Electronics)42奈米、东芝(Toshiba)43奈米和海力士48奈米下半年虽会陆续看到，但初期在提升良率阶段，要等到新制程步入量产期，还需要一段时间，现在当务之急是要挽救疲弱不堪的终端需求，NAND Flash市场才有一线希望。