未来内存希望 IBM和TDK携手研发MRAM

    近期，IBM和TDK两公司宣布将携手研发大容量、高密度的MRAM，以推动MRAM（磁阻内存）的量产和市场推广。联合研发计划的重点是开发高容量、高密度的磁阻内存电路，他们将研究如何应用自旋动量转移来生产体积更小的数据存储单元。IBM公司与TDK公司联合研发计划为期四年，将在IBM公司和TDK公司的多个研究机构内进行，其中包括TDK公司在美国加州Milpitas市的研发中心。

    MRAM被认为是未来的内存，使用它我们可以迅速开启电脑，况且每次启动时无须向内存中加载软件。将来如果磁阻内存获得推广，我们将可以在几秒钟之内启动电脑系统。因为磁阻内存的数据断电也可自行保存，无须再从硬盘上载入。 不过，目前市场上的MRAM芯片容量仅几兆字节，只能满足嵌入式控制系统的要求，还不能满足现代个人电脑的需求。

    如果TDK和IBM公司的研究成功，将可以满足生产体积小、容量大的芯片需求。同时，两公司希望能够扩大MRAM芯片的容量使其更加广泛地应用于手机和手持电脑中。业内人士预计，磁阻内存将取代今天所有的内存和闪存产品。