130nm混载闪存工艺确认 同时开始量产

    台积电近日宣布，已完成130nm混载闪存工艺的认证，并开始量产。为了更方便地从上一代过渡到此次开发的130nm混载闪存工艺，与上一代同样，采用了分裂栅（Split Gate）式闪存单元。另外，从此次的130nm工艺开始，在混载闪存流程中导入了铜（Cu）布线。

    其产品主要面向支持短距离无线通信规格“ZigBee”的LSI、小型便携无线设备、助听器及智能卡专用LSI、在1.2V～1.5V电压下工作的超低耗电LSI等。混载闪存工艺保持了与该公司130nm工艺的主要流程——泛用流程（G）及低耗电流程（LP）的全兼容性。这样一来，客户的IP内核以及库等设计资源可以得到灵活应用。