富士通:2010年笔记本硬盘容量达到1TB

    富士通早期宣称已经制造出一种“晶格介质”设备，利用单向阵列纳米管介质将磁轨宽度减小到了惊人的25纳米，从而可以将存储密度提高到每平方英寸1TB，是现有实际硬盘水平的5倍。

    近期，应用这个技术，富士通计划最早在2010年推出1.2TB容量的双碟装笔记本硬盘。声称已经制造出了理想、整齐的纳米孔氧化铝膜，并演示了新材料基本的读写操作能力，从而为实现晶格介质存储和更大的硬盘容量奠定了坚实的基础。

    富士通的纳米孔氧化铝膜介质也是通过垂直记录技术实现的，涉及纳米压引光刻、阳极氧化、钴电沉积等尖端技术，纳米孔垂直间隙约100纳米，适合现有的磁头技术。与垂直记录技术类似，富士通的新方法不会改变硬盘的基本模式，只是在技术细节上进行更新，外观看起来仍是由旋转的碟片和飞行的磁头组成。