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IDF07:32nm破茧而出CPU材料突破局限

泡泡网 2007年04月18日 类型:原创 作者:赵健锋 编辑:赵健锋
  
    演讲开始,马博先对Intel芯片技术作了总结,从130nm到90nm,再从90nm到65nm再到45nm,并阐述了革命性设备高K+金属栅极晶体管在45nm技术中的重要作用。高K+金属栅极是取代硅的一种材质,有了这种材质,密度才能不断扩展。

IDF07:32nm破茧而出CPU材料突破局限

    会上还展示了Penryn与Silverthorne处理器的优势,并介绍了3个可以量产45nm处理器的工厂,而第四个工厂也正在建设中。45nm产品将在07年下半年进行投产。

IDF07:32nm破茧而出CPU材料突破局限

    此后介绍了光刻技术和三门晶体管的研究,InSb量子井晶体管,降低功耗。而芯片制造上的重点还是在于晶体管与光刻技术,而互连技术,譬如碳纳米管的互连,会使芯片导电性与功率都处于优势地位。

IDF07:32nm破茧而出CPU材料突破局限

    现代CMOS扩展与尺寸扩展比翼双飞,都来源于材料创新。英特尔拥有一整套芯片技术研究流水线,将继续遵循摩尔定律,每两年推出一项新的制程技术。演讲最后马博还对芯片技术的未来加以阐述,而32nm技术的芯片也将在这一套环境中应声而出。

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