能耗降40% 三星启动20nm DRAM生产线

    泡泡网内存频道9月23日 三星电子今天正式宣布20nm DDR3 DRAM生产线，这也是三星首个20nm DRAM产品线，相比30nm芯片，新的20nm芯片功耗可降低40%。

    三星表示新的20nm生产线早期将会使得芯片的成本提升50%以上，不过由于工艺得到提升，芯片面积、价格和效能都将得到改善。

    目前三星主要推出2Gb DRAM颗粒，到年底三星还打算推出4Gb DRAM芯片，16GB、32GB的内存模组将成为可能（标准PCB版）。

    据悉三星Line-16位于韩国南部华城，工厂占地198000平方米，截至到目前为止三星共投资了多达100亿美元，旨在保持DRAM内存市场的领导地位。■