跳过3纳米直奔2纳米？三星Galaxy S28基带芯片路线图出炉

　　三星的下一代通信芯片，要在工艺上迈一个大步。快科技10月20日消息，三星电子已经确定，下一代手机通信芯片M2800将改用2纳米工艺制造，明年完成开发，并计划用在2028年上市的Galaxy S28系列上。

　　在聊这颗芯片之前，不妨先明确一下基带芯片的作用——手机联网时发信号、接信号，靠的就是它。从Galaxy S26系列开始，三星把基带部分从主处理器里拆分出来，单独做成了一颗芯片，型号为Shannon 5410。而在此之前，三星的外置通信芯片一直采用4纳米工艺。

　　按照目前的路线，今年上市的Galaxy S26用的还是4纳米的Shannon 5410，明年的Galaxy S27将搭载M2700，同样基于4纳米。不过M2700这一代的改进不小。最明显的是功耗，上一代Shannon 5410在待机功耗和标准功耗测试上不如竞品，而M2700经过电压调整等处理，据说性能和竞品打平甚至更好，数据传输速度也有所提升。此外，芯片采用了光学收缩工艺，通过按比例缩小掩模，在同一制程下把芯片面积减小了约4%。支持的3GPP标准也从Release 17升级到Release 18，卫星通信功能相应改进。

　　到了下一代的M2800，工艺直接从4纳米跳到2纳米，比自家处理器跑得还快。工艺升级的同时，原本的4纳米产线也空出了一批产能，三星打算把这段产能转去做HBM高带宽内存。此外还有一个变化：三星不再使用“Shannon”这个品牌名，以后统一叫M系列，M2700就是改名后的首款。从拆分独立到制程跃升，三星在通信芯片上的路线已经比较清晰。