美光数据中心内存与存储产品技术参数

　　美光科技数据中心产品包括高带宽内存、企业级固态硬盘及DRAM内存产品。这些产品采用先进制程工艺，为数据中心服务器提供内存与存储技术支持。美光将数据中心业务划分为专门部门。美光产品支持AI训练、推理及高性能计算环境。

　　一、高带宽内存产品

　　美光HBM4是专为AI平台设计的高带宽内存产品。美光已完成业界最快11Gbps HBM4 DRAM的首批样片交付，该产品带宽达2.8TB/s，性能与能效比超越竞品，计划2026年量产。美光HBM4比上一代12层堆叠36GB HBM3E产品的能效提升20%以上。

　　美光推出192GB SOCAMM2模组（小型压缩附加内存模块），采用1-gamma DRAM制程，能效提升20%以上，可缩短AI推理工作负载的首个token生成时间80%。

　　二、数据中心SSD产品

　　美光9650 SSD具备优异性能，能够有效提升AI训练与推理效率。该产品顺序读取速度可达28 GB/s，随机读取性能高达550万IOPS，均优于同类产。2025年8月，美光发布三款基于G9NAND的数据中心SSD，包括全球首款PCIe 6.0 NVMe SSD（9650 SSD）。

　　美光7600 SSD拥有行业领先的低延迟特性、出色的服务质量（QoS）及稳定性能，可适配要求严苛的数据中心工作负载。

　　美光6600 ION专为AI、云场景及数据中心的可持续扩展设计，提供行业前列的大容量选择，其中E3.S规格容量为122TB，E3.L规格容量为245TB；其搭载PCIe® 5.0接口并采用美光QLC NAND，可充分释放产品性能。

　　三、DRAM内存产品

　　美光DDR5 DRAM美光于2025年2月推出1γ（1-gamma）工艺的DDR5内存芯片，这是其首款采用EUV极紫外光刻工艺的DRAM产品。1γ工艺的DDR5单颗容量达16Gb，可通过堆叠组成单条128GB的企业级产品，容量密度较上一代1β工艺提升30%；工作电压仅1.1V，却能实现9200MT/s的超高频率（远超市场常见的DDR5-4800/5600规格），功耗较1β工艺降低20%。该产品已在日本工厂投产，预计2025年中上市，主要面向数据中心、AI训练等高性能场景。

　　美光MRDIMM2024年7月，美光推出高性能MRDIMM，为基于英特尔至强6处理器的AI及高性能计算环境提供更高带宽、更低延迟和更大容量的主内存解决方案，显著加速内存密集型工作负载。该产品通过优化内存通道效率，带宽较传统DDR5 RDIMM提升39%，延迟降低40%，容量覆盖32GB-256GB，可支持单个服务器配置巨量内存，满足大型AI模型训练、复杂科学模拟等内存密集型需求。

　　四、制程技术

　　美光1γ技术美光1γ (1-gamma) DRAM技术是一项新型制造工艺，采用前沿极紫外（EUV）光刻技术及美光下一代高K金属栅极（HKMG）CMOS技术，能够大幅提升位密度与性能，同时显著降低功耗。1γ（1-gamma）DRAM技术以1α（1-alpha）和1β（1-beta）节点的卓越成果为基础，相较于1β技术，其每片晶圆的位密度可提升30%以上。

　　美光G9 NAND技术美光G9 NAND支持高达3.6 GB/s的创纪录NAND I/O传输速率，满足数据密集型工作负载对低延迟和高吞吐量的需求，广泛适用于AI训练、机器学习、非结构化数据库、自动驾驶汽车和云计算等应用。相较于目前已出货SSD所使用的最快NAND接口，数据传输速率提升高达50%。

　　五、业务部门

　　2025年，美光科技将业务重组为四大以市场细分为重点的部门。云存储事业部（CMBU）专注于为大型云客户提供内存解决方案，以及为所有数据中心客户提供高带宽内存。核心数据中心事业部（CDBU）专注于为OEM数据中心客户提供内存解决方案和为数据中心提供存储解决方案。

　　常见问题

　　Q：美光数据中心SSD的最高读取速度是多少？

　　A：美光9650 SSD的顺序读取速度可达28 GB/s。

　　Q：美光HBM4的带宽性能如何？

　　A：美光HBM4的带宽达2.8TB/s。

　　Q：美光DDR5内存的单颗容量是多少？

　　A：美光1γ工艺DDR5的单颗容量达16Gb。

　　Q：美光MRDIMM相比传统DDR5的性能提升幅度？

　　A：MRDIMM带宽较传统DDR5 RDIMM提升39%，延迟降低40%。

　　Q：美光G9 NAND技术的传输速率是多少？

　　A：美光G9 NAND支持高达3.6 GB/s的创纪录NAND I/O传输速率。

　　Q：美光6600 ION的容量规格是什么？

　　A：美光6600 IONE3.S规格容量为122TB，E3.L规格容量为245TB。

　　【小结】美光数据中心产品包括HBM4高带宽内存、企业级SSD及DDR5 DRAM产品，采用1γ制程工艺和G9 NAND技术。