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三星宣布 14 纳米 EUV DDR5 DRAM 正式量产

  10 月 12 日消息 ,在今日三星官方向外界正式公布了旗下的DRAM产品生产进程,对外宣布已开始量产基于极紫外(EUV)光技术的 14 纳米 DRAM。

  在去年3月份,三星就出货了首款采用EUV工艺的DRAM产品,此次宣布的产品将 EUV 的层数增加至五层,将会为 DDR5 提供更优秀的制造解决方案。

  三星通过在 14 纳米 DRAM 中添加五个 EUV 层,实现了更高的比特密度,同时将整体晶圆的生产率提高了约 20%。此外与上一代 DRAM 相比,14 纳米工艺有助于降低近 20% 的功耗。

  根据最新 DDR5 的标准,三星的 14 纳米 DRAM 可带来 7.2Gbps 的超高速,是前代 DDR4 的 3.2Gbps 最高速度的两倍多。

  三星电子高级副总裁兼 DRAM 产品与技术负责人 Jooyoung Lee 表示:“通过开拓关键的图案化创新技术,我们在近三年的时间里一直引领着 DRAM 市场。如今,三星正在通过多层 EUV 建立起另一个技术的里程碑,该技术实现了 14 纳米的极致化 —— 这是传统氟化氩 (ArF) 工艺无法实现的壮举。在此基础上,我们将继续为 5G、AI 和虚拟世界中需要更高性能和更大容量的数据驱动计算,提供最具差异化的内存解决方案。”

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