英特尔5nm工艺曝光，目标超越台积电3nm

　　Digitimes在日前发表的研究报告中，分析了三星、台积电、Intel及IBM四家的半导体工艺密度问题，并对比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情况。

　　从表中可以看到，英特尔工艺在目前10nm节点上晶体管密度已经达到了已经达到了1.06亿/mm²，略超三星与台积电在7nm上分别0.95亿/mm²和0.97亿/mm²的密度。

　　而在下一代7nm的节点，英特尔目标将晶体管密度提升至1.8亿/mm²，如果计划达成，其密度不仅将超过目前台积电最新的5nm工艺，更大幅甩开三星的5nm。

　　在随后的5nm工艺中，英特尔将目标定在了3亿/mm²，此目标同样高于台积电的3nm计划，与三星3nm的差距还会进一步拉大。