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三星开始量产512GB eUFS 3.1芯片,写入速度超1.2GB/s

  三星、海力士、镁光三家企业拥有全世界80%以上的闪存生产能力,尤其是三星主导了闪存行业的定价,对于大部分旗舰手机来讲,都会标配三星闪存。

三星官宣,开始量产512GB eUFS 3.1芯片,写入速度超1.2GB/s

  3月17日消息,根据国内媒体报道,三星正式对外宣布开始量产512GB eUFS3.1闪存,可以用户智能手机和平板,根据官方介绍,全新的512GB eUFS3.1闪存较上代写入速度提升200%,达到了1200mb/s,而上一代仅为410mb/s。

三星官宣,开始量产512GB eUFS 3.1芯片,写入速度超1.2GB/s

  根据三星介绍,新的eUFS3.1闪存还将有128G和256G容量,同时三星还透露,位于中国西安的X2线已经在本月开始生产第五代V-NAND(9x层),韩国平泽市的P1线将转向第六代V-NAND闪存(1xx层)芯片的量产。

三星官宣,开始量产512GB eUFS 3.1芯片,写入速度超1.2GB/s

  在已经到来的5G时代,以三星为代表的eUFS3.1可以突破手机读写速度,带来更高效的操作体验,同时继续引领手机行业迈向更高的价位段。

  本文编辑:NJNR102

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