泡泡网存储频道 PCPOP首页      /      存储     /      动态    /    正文

代号Flashbolt 三星发布HBM2E存储芯片

  引自hkepc的消息。三星近日发布了代号为“Flashbolt”的HBM2E存储芯片,HBM2E单颗最大容量为16GB,由8颗16Gb的DRAM颗粒堆迭而成,单个封装可实现16GB容量,最高可提供3.2Gbps的稳定数据传输速度。预计全新的HBM2E存储芯片将在今年上半年开始量产。

  三星在2019年3月曾宣布成功研发了业界首款符合HBM2E规范的存储芯片HBM2E是HBM2的升级版标准,HBM2的最大数据传输速度可达2.4Gbps,在此之前使用HBM2存储芯片的显卡包括有AMD Radeon VII及NVIDIA Titan V,其中Radeon VII的显存位宽为4096bit 、频宽最高可达1TB/s,至于Titan V的显存位宽为3072bit、频宽也达到了653GB/s。

  至于JEDEC(国际固态技术协会)最新发布的第三版HBM2E标准“JESD235C”,HBM2E存储芯片的电压依旧保持在1.2V,不过其针脚频宽提高到3.2Gbps,较前一代2.4Gbps的最大数据传输速度提升33%。按照JEDEC给出的设计规范,单Die最大可达2GB、单堆迭12Die能达到24GB的容量,将其配备在支持四堆迭的显示核心上,便可为显卡提供1.64TB/s的总频宽。

  有意思的是,“JESD235C“标准中仅仅制定了正常工作状态的电压,并未对全新的HBM2E电压的做出任何的限制。因此,三星可以为自家的HBM2E存储芯片加入“超频”的特性,这样可以实现不小的提升空间,为显卡提供更高的频宽。

  全新的HBM2E记忆体“Flashbolt”采用三星1ynm制程工艺,单颗最大容量为16GB,由16Gb的单Die通过8层堆迭而成。三星官方介绍说,全新的“Flashbolt”在频宽上面有比较明显的提升,在默认的3.2Gbps下,单颗HBM2E就可以提供高达410GB/s的频宽,1秒内便可传输82部 Full HD (5GB)全高清画质的影片。

  至于三星内部测试自家全新的“Flashbolt”存储芯片,在“超频”后可以达到最高4.2Gbps的传输速率,频宽更高达538GB/s,比上代产品高出75%。

  按照三星官方的说法,全新的HBM2E存储芯片将会在今年上半年开始量产,特别适用于HPC高性能运算系统,并可帮助系统制造商及时改进其超级电脑、AI驱动的数据分析以及最新的图形系统。

0人已赞

泡泡网

手机扫码关注