PC系统新一轮换代 DDR II进入飞速成

    Intel LGA775处理器来了，I915/925主板上市了，DDR II将迎来一个展现的发展阶段。因为新一代的I915、925芯片组在架构上和目前的i865/875有着很大分别，除了支持现时533Mhz及800Mhz前端总线外，还增加对DDRII的支持。

    内存控制器一直是芯片组的一个卖点，目前的I865就因为整合了双通道DDR内存控制器造就了Intel辉煌的战绩。同样这个成功理念也在未来的I915、I925芯片组中得到体现。未来I915、I925北桥的内存控制器同样支持双通道DDR内存技术，不过令人睹目的应该是引入对DDRII内存的支持。与DDR要比，DDR-II最大的改进是在DDR的基础之上改良了I/O Buffer部份――――-改用了四位预读取架构（4Bit Prefetch）。这样DDR-II每次传送数据达到4bit，比DDR每次传送2Bit多一倍。这个四位预读取技术有点类似于Rambus的四倍Rambus信号模型技术，它可以在核心频率较低的情况下实现较高的数据传输率。同时DDRII支持四周期或八周期使用的固定指令长度，这规格提供了新的burst技术，称为“Sequential Nibble”，将每个突发指令分为两个四位的Nibble（半字节），这可以让八周期的突发长度用交错的方式运作，配合内存区块的直行大小。

    DDR-II的新功能还包括内存上面的信号终结器（ODT）、更小的分页大小（用更低的电压就可以启动），而且DDRII采用的Posted CAS技术可以让RAS讯号结束后，直接完成CAS指令。这让设计控制器更为简单，理论上也可以增加内存的处理上限。此外，DDR-II与DDR的更多差别包括：不再使用TSOP封装，改用FBGA封装；除了线路更短，噪声更低外，后者的体积更小，让内存单元的密度更高。另一个差别是DDR-II模块的电压为1.8伏特，而非DDR的2.5伏特 ――――这可以大大降低内存的功耗，有利于提高工作频率！JEDEC（电子工程设计发展联合协会）早在2003年9月12日推出了DDR-II规格，目前也通过了DDR-II-400、DDR-II-533、DDR-II-667向DDR-II-800迈进。我们有理由相信在Intel LGA775架构上不断提升前端总线及带宽的不远的将来，受制造工艺限制DDR将再次成为系统颈頩，DDR II 势必会取代DDR内存
说了DDR II 的那么多好处，我们来看看威刚科技的A-DATA DDR II 533 吧。

    威刚A-DATA  DDRII 533内存模块产品采用非常先进的0.10微米制程DDRII颗粒，并透过内建的ODT(on-die-termination)内部中断电阻设计，让主机板不用在内存模块旁边增加一排电阻，减少PCB的使用空间；OCD(OffChip Driver)讯号校正技术，让电压的上升与下降有最小的DQ-DQS SKEW(时钟讯号偏离)，提升讯号质量；以及提高总线效率的Posted CAS(Column Address Strobe)功能，使DDRII 533分别达到4.3GB的数据频宽。此外，威刚Vitesta DDRII模块搭配上FBGA(Fine-pitch Ball GridArray；细密球型网数组)封装技术的DDRII颗粒及雷射钻孔的PCB，成功减少IC颗粒与模块板的球面接触点，并有效降低高频工作温度与数据噪声，且大幅提高数据传输速率。　

    威刚科技DDRII 533记忆体模组是台湾第一个正式通过美国Intel认证的DDRII产品。威刚科技于去年9月Computex 2003率先台湾同业展出DDRII初期研发成果，领先国内记忆体模组厂完成DDRII 533记忆体模组的送测与量产准备，是国内最早量产DDR II内存的厂商。

    虽然目前DDR内存是主流，但随着Intel LGA775处理器和915/925主板的更新普及，DDR II会取代DDR成为新的首选标准。