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英特尔精尖制造日!全球晶体管密度最高的制程工艺

    英特尔精尖制造日在今日如期举行,在今日的大会上,公布了英特尔制程工艺的重要进展,同时还首次展示了 10nm 的晶圆以及首款面向数据中心应用的64层 NAND 固态硬盘,整个会上可以说是干货满满,下面就为大家解读一下大会的几点关键问题。

摩尔定律不会失效!


   英特尔公司执行副总裁 Stacy Smith 先生首先谈到了关于摩尔定律的问题,在现如今最多的讨论就是摩尔定律是否已经不再重要了,甚至有一天会终结。这个问题我想分为两个层面为大家做出解释。

    首先是物理层面,提到摩尔定律,大家首先会想到的就是处理器制程中的16nm、14nm和10nm等等,在这个数字越来越小的同时,不禁让所有人疑惑,是否有一天会到达物理极限,Smith 先生表示至少目前还看不到终点。在1990年时,晶体管大小达到193nm时,物理学界指出不可能再前进了,但现在的制程比当时要小20倍,这是得益于英特尔不断地创新和实施多种备选方案的结果,同时英特尔也一直在前瞻后三代制程,因此对未来依旧是充满信心。

    另一层可以说是精神层面的,摩尔定律内容的实质含义同样适用在其他行业和领域,进行不断地努力和突破,从而产生经济效益,使摩尔定律成为全球经济的根本动力,通过逐年提升能力,可以多快好省地利用计算演进周期来解决全球范围内的重大问题,从而让生活更美好。因此,从这一层面来看,摩尔定律在可预见的未来中不会终结。

全球首次展示 Cannon Lake 10nm晶圆


    在会上,Stacy Smith 先生在全球范围内,首次展示了“Cannon Lake”10nm 晶圆,采用超微缩技术,拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距,实现了行业内最高的晶体管密度。

发布首款面向数据中心的64层 TLC 3D NAND 固态硬盘


    英特尔公布了业内首款面向数据中心的64层、三级单元(TLC)3D NAND 固态硬盘。推出优化的3D NAND浮栅架构和制造工艺,是英特尔在存储领域30年的专业积淀,再加上制程领先性,能够快速把64层TLC 3D NAND 技术进行组合。产品将在今年年底大范围地上市。

全球晶体管密度最高的制程工艺


    相信众多朋友被市场上各个厂商杂乱的14nm和10nm搞得一头雾水,在今天的会上,英特尔高级院士 Mark Bohr 先生详细为我们解答了这个问题。一些厂商对于制程节点名称的命名不准确,背离了摩尔定律,即使晶体管密度增加很少甚至是没有增加,仍用新一代节点命名,这也是让我们迷惑的主要原因。

    因此,就需要一个衡量工艺制程水平的准则,那就是晶体管密度。Mark Bohr 先生展示了一个被广泛接受的晶体管密度公式,这个公式适用于任何制造商的任何芯片,能够明确标准地测量晶体管密度,通过这个指标就能改善制程节点命名的乱象。

    放上这张图,相信大家就都明白了,关于芯片的一些重要参数在上面都有所体现,英特尔在制程工艺上可以说是全面压制,领先对手整整一代,拥有着全球晶体管密度最高的制程工艺。换句话说,只有英特尔的10nm是最真实的存在。

更全面的晶圆代工业务生态系统


    英特尔的晶圆代工业务在不断发展,时至今日,英特尔可以为客户带来协同优化程度最高的平台技术和IP,能够提供出垂直集成的“一站式商店”,广泛的封装产品组合和一套完整的测试服务,让客户享受到全面的服务。■

本文编辑:苑静涵

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