密度两倍于三星台积电 英特尔10nm工艺来了

2017年09月19日 11:41   出处:泡泡网原创   作者:孙斌   分享

  今天上午Intel在北京召开技术沟通会,向媒体展示了最新的晶元制造技术,也就是英特尔自家的10nm工艺。会上英特尔在一张PPT中对比了自家10nm和台积电三星的所谓“10nm”工艺的参数。不仅在所有项目中都优于对手,而且在最重要的逻辑晶体管密度上英特尔10nm工艺更是达到了对手的两倍。

  由PPT可以看到,鳍片间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元密度、逻辑晶体管密度等等所有项目。英特尔10纳米工艺都有着明显优势。作为芯片制造业的霸主,这样的表现理所应当,毕竟以往英特尔都是要领先对手一代甚至两代,由于跳票的影响被拉到了同一起跑线上自然不会落到下风。

  业内一直有个说法,制程工艺上只有英特尔是明码实价,该是多少就是多少。而三星台积电的工艺受到宣传需要的影响,一定意义上只是命名为“14nm”“10nm”的技术而已。事实上两家的10nm仅仅比英特尔的14nm++略好。英特尔此次展示10nm颇有一些教三星台积电做人的意思。

  10nm工艺将应用到下一代Cannon Lake CPU上,预计明年下半年将正式上市。英特尔沿用了四代的14nm工艺也终于将退出历史舞台。但英特尔每一代新工艺的应用都或多或少有一些小BUG存在,这次的10nm能否保证如期上市还需要时间的检验。

  本文编辑:孙斌

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