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内存减产发酵 明年1GB均价将反弹六成

    DRAM厂商减产效应本月可望发酵,产业景气有机会“融冰”。分析师表示,明年1Gb全年均价若站上1.6美元,对成本结构良好的DRAM厂商而言,成本有机会下降到1.8美元以下,亏损大幅降低,营运现金压力将会大减。

    台湾DRAM厂商明年农历年前手中可转换公司债一一到期,加上DRAM价格低迷,现金压力越来越大;但多家DRAM厂商及交易商预期,明年首季DRAM价格有机会止稳、且逐步向上反弹,明年全年1Gb规格均价可望较今年弹升六成以上。

    台湾DRAM厂目前以力晶生产成本最具竞争力,力晶已由70奈米制程转入65奈米,明年初将进一步升级至相当于50奈米制程的65奈米微缩制程,增加20%的产出及减少20%到 30%的成本,配合价格止跌反弹,力晶明年有机会由亏转盈。

    美光(Micron)上周五股价上涨2.28%,领先台湾DRAM厂站稳季线之上,预料在美光股价带头下,配合减产效益发酵,为台湾DRAM类股带来正面消息。

    2007年DRAM市场全年处于供过于求,DRAM全年均价跌幅达54%,今年受到金融风暴引发全球消费紧缩影响,DRAM全年均价更将超过六成。目前主流规格DDRII 1Gb现货价格在1美元附近徘徊,短线虽不致破底,但价格已严重超跌。

    台湾DRAM厂业界人士指出,DRAM厂的减产效应有助明年第一季价格开始止稳,第二季有机会见到1Gb价格反弹至1.65美元。

    事实上,继今年9月力晶、尔必达(Elpida)以及海力士(Hynix)宣布12吋减产、8吋停产后,其他原本宣称无计划减产的厂商也陆续在10月宣布减产。其中华亚科在美光确定入主后,11月开始减产20%,以准备技术转换。

    南科也暂停三厂二期的扩产计划,转而先于三厂一期厂区内进行3万片产能的技术转换,南科本月开始产能将逐步下降,预计明年1月产能降至零,2月开始转进美光技术。

    预计11月各大DRAM厂减产合计将达12.5万的12吋产能,大约占全球12吋晶圆厂总投片量10%,加上9月减产数量,截至年底全球DRAM总产能减产达16%以上。

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