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DRAM上演纳米战 奇梦达将推58nm工艺

    据奇梦达亚太区计算类存储产品部市场经理吴至中介绍,目前70nm工艺已占奇梦达70%产能,今年将会导入58nm制程,然后会不断向46nm、30nm挺进。吴至中透露,70nm是奇梦达DDR3产品的工艺起点,但低功耗的实现能力则是奇梦达的技术优势。

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    据悉,英特尔将在2008年中,推出业界首台拥有省电、高性能的DDR3内存之迅驰移动运算技术平台。Intel对此的评价是,即将上市的Intel迅驰双核处理器加上奇梦达SO-DIMMs低功耗及高带宽,将使Intel的PC、服务器以及移动平台在2008年展现更高性能,并兼具省电及增大容量的特性。

    来自Intel的评测,在目前能提供1G DDR3-1333设计者中,只有奇梦达达到了低于2.5W——为一台典型的笔记本电脑配置2GB SO-DIMM内存所限定的最大功耗。

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  2GB的SO-DIMM模块采用了75nm工艺的1Gbit DDR3组件,省电效果非常明显,与DDR2相比,DDR3优势明显,DDR3仅需1.5伏特的电力供给,而DDR2则需1.8伏特。根据SO-DIMM容量的不同,奇梦达的DDR3 SO-DIMMs与现今主流的DDR2模块相比,可以节省30%到50%的耗电量。

 

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