英飞凌授权130nm嵌入式闪存技术给IBM

    德国infineon最近宣布，将会授权130纳米制程嵌入式闪存芯片制造技术给IBM，而IBM方面预计会在未来对应产品中使用该制程技术生产的产品，并提供对应服务，此列芯片预计将会在IBM北美工厂进行制造。

    infineon的130纳米嵌入式闪存技术早在2006年就已经在进入量产阶段，其主要被应用于使用微控制器芯片的智能卡自动系统中。根据计划，IBM将会在其位于北美的vermont（佛蒙特州）200毫米晶圆工厂开工，预计会在2008年下半年进入量产阶段。