容量高达32GB！三星NAND进军40nm工艺

    据韩联社11日报道，三星电子成功开发出CTF(Charge Trap Flash)Nand技术，世界上首次实现了40纳米32千兆Nand闪存的商业化。

 三星发表32Gb NAND Flash　未来将采40纳米制程生产

     三星电子负责半导体业务的总经理黄昌奎11日在首尔新罗酒店举行记者恳谈会并宣布称，已成功开发出了CTF技术并实现了40纳米32GNand闪存的商业化。

    三星电子2001年开始着手开发CTF技术。自1971年首次开发出非挥发性内存后，35年来用于实现商业化的一直是浮动栅(floating gate，闪存存储单元中存放电荷的部份)技术，而先进的CTF技术则克服了该技术的局限性。

    40纳米半导体技术是指，大小为发丝直径的三分之一的超微细技术；32千兆内存容量是指相当于世界65亿人口的5倍，即328亿个存储单位被集中在大拇指指甲大小的面积上。

    如果利用16片Nand闪存制作一张64千兆的内存卡，可储存的信息相当于3.6万张高清晰照片或40部电影及世界五大洋六大洲的地理信息、400年的报纸内容。

    另外，10张内存卡即可存储相当于我国国会图书馆220万本藏书的信息，将会开辟“掌上图书馆”时代。 
 
    三星电子（Samsung Electronics）宣布最新研发成果，发表NAND型快闪记忆体（Flash）容量倍增的32Gb产品，未来并将导入40奈米制程技术打造该产品，以及最新记忆体PRAM，宣称储存速度更上一层楼。

    身为全球NAND型Flash最大供应商的三星，自1999年起便极力研发扩大产品容量，使NAND型Flash容量得以每年倍增的速度增加，三星半导体事业群总裁黄昌圭日前向外界展示32Gb NAND型Flash，容量即较上一款16Gb倍增；三星在2005年10月曾宣布采用50奈米制程技术推出16Gb的NAND型Flash。

    除此之外，三星并且发表最新非挥发性记忆体PRAM，并且向外界展示512Mb的PRAM原型，该产品主要应用在数位装置储存资料速度更快，储存速度约为传统Flash的30倍，估计将于2008年问世。