Fury X：联华电子为AMD产硅穿孔中介层

    AMD新一代旗舰显卡Radeon R9 Fury X上市也有一段时间了，不过新工艺的产能往往会低一些，这款显卡供货不多，往后的R9 Fury以及R9 nano也将受到影响。不过现在他们迎来了好消息，联华电子宣布，他们的TSV穿透硅通孔技术已经进入量产阶段，将可帮助AMD度过产能的难关。

    TSV穿透硅通孔技术（或者叫硅穿孔技术）主要应用于HBM堆栈式显存与中介层连接，让各个Die可以穿过下层的其它Die，之后再通过μBump微凸块直通中介层；除此之外，中介层也是采用同样的技术来连接显存与CPU/GPU。

    从公告来看，联华电子所负责的就是后面说的这种中介层的量产工作，具体是其位于新加坡的12英寸特殊技术晶圆厂Fab 12i。

    不过中介层产能提上来了，接下来AMD还需要解决HBM堆栈式显存的产能，这样大家想买R9 nano的时候才不会对着“无货”两个字干等了。■