存储密度上升 第二代3D V-NAND细节公布

    三星在去年推出了第二代3D V-NAND技术，并应用到850 Pro/EVO两款SSD上，日前在ISSCC 2015研讨会上，三星公布了第二代3D V-NAND的部分细节，针对优化了的部分进行了一些解释。

    PC Watch对此进行了较为详细的介绍，从上图可以看到，第一代与第二代3D V-NAND在存储密度上有很大的差异，第一代采用MLC设计，堆叠层数为24层，128Gbit容量所需面积为133mm2，而第二代采用TLC设计，堆叠层数上升至32层，存储密度大幅提升，128Gb所占面积为68.9mm2，第一代的存储密度为0.93Gb/mm2，第二代的就上升到1.86Gb/mm2，上升幅度达到了2.25倍，幅度相对惊人。

两代3D V-NAND存储密度对比

    传统的2D闪存在达到一定密度之后每个电源存储的电荷量会下降，另外相邻的存储单元也会产生电荷干扰，为了避免这些负面影响，传统TLC的编程会拆分为三个阶段，就是为了在编程时更为精确的控制电荷量。

    但是3D V-NAND就没有传统2D闪存的问题，无需进行多阶段控制，三星通过HSP技术将多阶段编程过程整合为一个，闪存编程时间大为减少。

编程时间缩短为原来的二分之一，写入功耗可以降低40%

存储核心的立体构造（中），Word line的阻值检测（左）

    闪存在结构上有所改变，造成了Word line在近段、远端的阻值会有些差异，这样的差异会造成读取放大器与控制解码间的迟滞，为了解决这样的问题，进行了阻值检测，以及针对不同的Word Line参数给予不同的电压，这样一来就能够有效减低setup-time。

数据总线的架构图，可实现1Gbps的高速数据传速

    在读写方面，在4G数据预读的同时，还会进行2路交错的动作加速数据的传送。还有在在数据位宽由原来的32Bit扩大到现在64Bit，然后根据传输速度的高低，芯片内部的电压调节器进行电流调整以及电压电压变动抑制，减少了信号的抖动，1Gbps下的 抖动从420ps降低到280ps，这样就实现了1Gbps的高速数据传速。■