3DV-NAND再显威 120GB三星850 EVO测试

    泡泡网SSD固态硬盘频道12月22日 三星固态硬盘近年来发展非常迅猛，近日三星再次发布了最新成员850 EVO SSD，该产品采用三星3bit 3D垂直闪存(V-NAND)技术，性能与耐用性与先前产品相比有大幅度提升。是继今年7月份，三星电子推出采用2 bit 3D V-NAND，专门针对高端个人PC及中小型企业服务器而设计的三星 850PRO SSD之后的又一力作。随着850EVO的发布，三星电子整合推出了基于V-NAND的新一代消费级SSD产品线。

    自2012年首次推出基于3bit平面闪存的固态硬盘之后，三星已经证明了市场对高密度3bit闪存固态硬盘的广泛需求。2013年8月推出了第一代24层V-NAND闪存，并在今年5月宣布了第二代32层V-NAND存储单元阵列结构。之后宣布量产3bit 32层V-NAND闪存，则标志着三星正在通过加速V-NAND量产技术的发展引领着3D存储芯片的新纪元。

　　该款产品单个存储单元容量为3bit，每片芯片存储单元阵列垂直堆叠32层，因而大大提高了生产效率。与三星的10纳米级3bit平面闪存相比，新推出的3bit V-NAND立体闪存的晶圆生产效率提高了一倍以上。

    3bit V-NAND闪存是基于三星第二代V-NAND芯片技术的最新产品，每片闪存芯片由32层垂直堆叠的存储单元组成，单片闪存的存储容量可达128Gb。利用三星独有的3D电荷捕获型栅极存储单元结构技术,各个存储单元把电荷存储在绝缘体中，并通过存储单元阵列一层接一层地向上垂直堆叠，制造出含有数十亿个存储单元的芯片。

    明年，三星预计扩大SSD产品阵容，推出搭载3bit V-NAND 技术的M.2和mSATA外形尺寸的850 EVO 系列SSD。三星还预计，850 EVO在满足市场日益增长的500GB以上容量SSD需求的同时，将进一步推动高容量SSD的市场扩张。

    现在三星850 EVO已经被笔者拿到，打开外壳大吃一惊，PCB居然这么小！这自然得益于如今闪存的高集成度。

三星MGX主控

单颗容量128GB的闪存芯片

256MB LPDDR3缓存

    下面让我们实际测试一下该款产品性能吧。

    本次对比产品选择了三星120GB的840 EVO产品。测试平台方面此次使用了Z87芯片组主板，详细配置如下：

对比产品——120GB三星840 EVO

    ◎ 测试项目

    AS SSD Benchmark：是一个专门为SSD测试而设计的软件，可以测试出固态硬盘的持续读写性能，包括单线程和多线程下的4KB小文件的传输性能等等，成绩显示可以分为两种，一种是MB/S的形式，另一种是IOPS形式。

    CrystalDiskMark：这是一款比较主流的硬盘基本性能测试工具，通过五次测试取平均值，因此拥有较高的准确率。对于持续传输率，这款软件的测试是比较准确的。这里我们采用1000MB数据量的测试。

    ATTO Disk Benchmark：一款简单易用的磁盘传输速率检测软件，可以用来检测硬盘、优盘、存储卡及其它可移动磁盘的读取及写入速率。采用分级测试模式，让测试结果更加精准可靠。

    PCMark 7：PCMark 7是一套针对PC系统进行综合性能分析的测试套装，包含七个不同的测试环节，由总共25个独立工作负载组成，涵盖了存储、计算、图像与视频处理、网络浏览、游戏等PC日常应用的方方面面。

    FastCopy：FastCopy是Windows 平台上最快的文件拷贝、删除软件。由于其功能强劲，性能优越，一时间便超越相同类型的所有其他软件。由于该软件十分小巧，你甚至可以在安装后，直接将安装目录中的文件复制到任何可移动 存储设备中，方便携带，随取随用。

● 测试成绩  

    AS SSD Benchmark：是一个专门为SSD测试而设计的软件，可以测试出固态硬盘的持续读写性能，包括单线程和多线程下的4KB小文件的传输性能等等，成绩显示可以分为两种，一种是MB/S的形式，另一种是IOPS形式。

    AS SSD Benchmark测试下，在读写性能上，凭借新主控与新闪存的因素，可以看到三星850 EVO SSD的写入性能得到极大提升，同时，在4K小文件读写性能与4K-64Thrd多线程任务随机读写测试中，新产品的性能都得到了提升。而在实际拷贝测试下，可以看到850 EVO相比840 EVO也提升了一秒左右。

    CrystalDiskMark：这是一款比较主流的硬盘基本性能测试工具，通过五次测试取平均值，因此拥有较高的准确率。对于持续传输率，这款软件的测试是比较准确的。这里我们采用1000MB数据量的测试。

    CrystalDiskMark测试中，表现的结果与AS SSD Benchmark读写测试基本一致，三星850 EVO SSD的写入性能相较840 EVO有了明显提升。

    ATTO Disk Benchmark：一款简单易用的磁盘传输速率检测软件，可以用来检测硬盘、优盘、存储卡及其它可移动磁盘的读取及写入速率。采用分级测试模式，让测试结果更加精准可靠。

    ATTO Disk Benchmark成绩表现依然都中规中矩，三星840 EVO因为主控上的因素，所以写入成绩仍没有超过500MB/s。

    PCMark 7：PCMark 7是一套针对PC系统进行综合性能分析的测试套装，包含七个不同的测试环节，由总共25个独立工作负载组成，涵盖了存储、计算、图像与视频处理、网络浏览、游戏等PC日常应用的方方面面。

    PCMark7是整体考量硬盘性能的测试软件，在经过一系列测试后，得出该盘的性能成绩，得分比较准确，很有参考意义，在这项测试中，俩款产品均超过5000的高分，而三星850 EVO则达到了5548的高分。

    接下来的测试为开机时间测试，笔者选择的是金山开机助手软件，可以检测开机时间甚至看出在硬件启动、系统启动与软件启动中分别花费的时间。

    相比机械硬盘来说，开机时间是固态硬盘的一大优势，不过同为SSD，两款产品的开机速度相差无几，都已到达极致。

　　 游戏加载时间测试：笔者在这里选择了孤岛惊魂4进行游戏加载。

　　 游戏加载速度也是固态硬盘的优势之一，笔者在这里选择了孤岛惊魂4进行游戏加载，两款产品都以非常高速的时间完成了加载进度。

　　 Photoshop打开时间测试：笔者在每个固态硬盘中都装上Photoshop CS6，并打开30张照片，每张照片大小为3MB左右，分辨率为3872*2952。

　　 对于很多办公及摄影用户来说，Photoshop是非常重要及常用的软件之一，从测试成绩可以看出来，三十张照片，两款产品所用时间仅仅22秒，加载速度都非常给力。

● 测试总结与购买建议

    通过测试可以看到，更换了新主控与新闪存的三星850 EVO SSD在各方面都有了极大提升，尤其在写入上更是完全超越过去，而4K与4K-64Thrd性能方面也都更加出色，三星独特创新的3D V-NAND闪存结构，突破了目前传统平面NAND结构面临的密度限制、性能与耐用性问题。3D V-NAND闪存由32个单元层垂直堆叠而成以适应水平空间，并没有减少单元层尺寸，而且由于采用了更小的碳足迹，所以结构密度更高，性能更强。售价方面目前虽然还不清晰，不过三星产品在性价比方面一直表现突出，相信这次也不会令大家失望。■<