台积电挥军杀奔极紫外光刻机 10nm工艺

    泡泡网刻录机/光驱频道11月28日 光刻系统供应商荷兰ASML近日宣布，台积电已经订购了两台量产型的NXE:3350B EUV极紫外光刻机，将在2015年交付使用。

    具体报价没有公布，但据称应该接近1亿美元级别——同样是ASML EUV光刻机客户的Intel(还有IBM、三星)认为合理价格应在2000万美元左右。

   另外，台积电此前已经购买的两台NXE:3300B也将在ASML的协助下，升级到与NXE:3350B相同的水平。

    据了解，台积电购买的EUV极紫外光刻机初期将用于300毫米晶圆、10nm工艺，未来还会考虑导入到450毫米晶圆上(目前只有Intel做出来了)。

    今年第三季度，台积电在EUV技术上的晶圆曝光速度已经达到每天600块，如果顺利的话2016年可达1500块每天。

    台积电的10nm工艺虽然还在理论研究阶段，但已经有10多家客户基于它进行了产品设计，涉及手机基带、GPU、服务器芯片、游戏机处理器、FPGA等等，预计2015年下半年就会有客户完成流片，2015年底试产，2016年底或者2017年量产。

    按照台积电董事长张忠谋的说法，10nm可以比16nm FinFET工艺带来25％的性能提升、45％的功耗下降、120％的栅极密度增加。■